Drukuj stronę
MMBTH11.
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBTH11.
Nr katalogowy Farnell2825122RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter25V
Prąd ciągły kolektora50mA
Rozproszenie mocy225mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft650MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE60hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBTH11.
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
50mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
60hFE
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Maks. napięcie kolektor-emiter
25V
Rozproszenie mocy
225mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
650MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0004
Śledzenie produktu