Drukuj stronę
2SAR502U3HZGT106
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
2 645 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,330 zł |
| 1000+ | 0,310 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
185,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producenta2SAR502U3HZGT106
Nr katalogowy Farnell3406487RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter30V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo30V
Prąd kolektora DC500mA
Prąd ciągły kolektora500mA
Rozpraszanie mocy Pd200mW
Rozproszenie mocy200mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft520MHz
Wzmocnienie prądu DC hFE200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE200hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Kwalifikacja motoryzacyjnaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
30V
Prąd ciągły kolektora
500mA
Rozproszenie mocy
200mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
520MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
200hFE
Asortyment produktów
-
Kwalifikacja motoryzacyjna
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter
30V
Prąd kolektora DC
500mA
Rozpraszanie mocy Pd
200mW
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Liczba pinów
3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE
200hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001