Drukuj stronę
PBSS5120T,215
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 915 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,400 zł |
| 50+ | 0,880 zł |
| 100+ | 0,580 zł |
| 500+ | 0,440 zł |
| 1500+ | 0,330 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
7,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBSS5120T,215
Nr katalogowy Farnell8736391
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter20V
Prąd ciągły kolektora1A
Rozproszenie mocy300mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft-MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE450hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
PBSS5120T jest tranzystorem BISS PNP 1A, umieszczonym w plastikowej obudowie montowanej powierzchniowo. Ma ultraniskie parametry VCEsat oraz RCEsat.
- Niskie napięcie nasycenia (VCEsat) kolektor-emiter
- Duża wartość prądu kolektora: IC oraz ICM
- Wyższa wydajność dla generowanie mniejszego ciepła
- Mniejsze wymogi odnośnie PCB
- Uzupełnieniem NPN jest PBSS4120T
- Kod znakujący: 3K
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
1A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
450hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
20V
Rozproszenie mocy
300mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
-MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (4)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu